目前影响碳化硅应用的主要因素是其高密度缺陷。碳化硅块状晶体中最常见缺陷被称为微管。微管是空心的超级螺型位错，其Burgers矢量沿着C轴。对微管的产生已经提出或者确定了许多原因。这些原因包括Si或者C夹杂物，边界缺陷，及多型夹杂等。
碳化硅单晶片微管化学腐蚀试验可利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度。
中科检测可靠性实验中心具备各种碳化硅单晶片微管的可靠性能试验能力，为碳化硅单晶片微管提供专业的化学腐蚀试验等服务。

采用择优化学腐蚀技术显示微管缺陷，用光学显微镜或其他仪器（如扫描电子显微镜）观察碳化硅单晶表面的微管，计算单位面积上微管的个数，即得到微管密度。
1）将腐蚀好的试样置于光学显微镜载物台上，根据微管孔洞大小选取不同放大倍率。
2）观察整个碳化硅单晶片表面，确认微管形貌，记录观察视场内微管个数。记数视场的选择有两种，根据需要可选取：
a）依次观察记录整个碳化硅单晶片每个观察视场内的微管个数；
b）选取观察视场面积及测量点，观察视场面积S不小于1 mm2。记录每个视场的微管个数。
注：a）、b）两种测试方法中推荐优选方法a）测试整个碳化硅单晶片的微管缺陷。
3）计算平均微管密度。

GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
GB/T 14264半导体材料术语