砷化镓（化学式：GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等元件。

检测样品：砷化镓外延片、单晶、晶片、载流子等。

检测项目：外形尺寸、表面质量、偏离度检测、切口测试、电学性能检测、载流子浓度测试、电阻率检测、截面电阻率不均匀性、迁移率测试、位错密度、电学性能、导电类型、霍尔迁移率、电阻率检测、位错密度检测等。

GB/T 8757-2006砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法

GB/T 8758-2006砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

GB/T 8760-2020砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T 11068-2006砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

GB/T 11093-2007液封直拉法砷化镓单晶及切割片

GB/T 11094-2020水平法砷化镓单晶及切割片

GB/T 20228-2021砷化镓单晶

GB/T 25075-2010太阳能电池用砷化镓单晶

SJ 3242-1989砷化镓外延片

SJ 20714-1998砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法

SJ/T 11497-2015砷化镓晶片热稳定性的试验方法