SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET，特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。
在半导体工业中，硅是第一代基础材料。目前，世界上95%以上的集成电路元件都是以硅为衬底制造的。目前，随着电动汽车和5G等应用的发展，对大功率、高电压、高频器件的需求正在快速增长。
中科检测能提供专业的SiC器件检测服务，出具的SiC器件检测报告。

（1）碳化硅肖特基二极管
（2）碳化硅功率晶体管

可靠性试验：
低温试验、高温试验、湿热试验、快速温变试验、振动（正弦）试验、三综合（振动+温湿度环境）试验、随机振动试验、低频振动试验、高频振动试验、冲击试验试验、防尘防水试验、气体腐蚀试验（二氧化硫、硫化氢、二氧化氮、氯气）
电性能测试：
接触电阻测试、绝缘电阻测试、泄漏电流测试、电阻率/导电率测试、导体电阻测试

GB/T 5095.2.1997 电子设备用机电元件基本试验规程及测量方法 第2部分：一般检查、电连续性和接触电阻测试、绝缘试验和电压应力试验
IEC 60068-2-42:2003 环境试验 第2-42部分:试验 试验Kc：触点和连接件的二氧化硫试验
GB/T 2423.19-2013 环境试验 第2部分：试验方法 试验Kc：接触点和连接件的二氧化硫试验
GB/T 2423.22-2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化
GB/T 2423.27-2020 环境试验 第2部分：试验方法 试验方法和导则：温度/低气压或温度/湿度/低气压综合试验
GB/T 2423.33-2021 环境试验 第2部分：试验方法 试验Kca：高浓度二氧化硫试验
GB/T 2423.34-2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验Z/AD：温度/湿度组合循环试验
GB/T 2423.61-2018 环境试验 第2部分：试验方法 试验和导则：大型试件砂尘试验
GB/T 2423.63-2019 环境试验 第2部分：试验方法 试验：温度(低温、高温)/低气压/振动(混合模式)综合
GB/T 2423.38-2021 环境试验 第2部分：试验方法 试验R：水试验方法和导则