硅外延片是指在硅单晶衬底上外延生长一层或多层硅单晶薄膜的材料，主要用于制造半导体分立器件和集成电路。根据衬底片的掺杂浓度不同，硅外延片分为轻掺杂衬底外延片和重掺杂衬底外延片。轻掺杂衬底外延片通过生长高质量的外延层，可以提高CMOS栅氧化层完整性、改善沟道漏电、提高集成电路可靠性；而重掺杂衬底外延片结合了重掺杂衬底片和外延层的特点，在保证器件反向击穿电压的同时又能有效降低器件的正向功耗。中科检测可提供硅外延片检测服务，检测报告具备CMA资质。

晶向、电阻率及径向电阻率变化、厚度及径向厚度变化、晶体完整性、表面金属、质量等

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